E4D20120G

N.º de pieza del fabricante
E4D20120G
Fabricante
Wolfspeed, Inc.
Paquete/Caso
-
Ficha de datos
Descargar
Descripción
1200 V 20 A SCHOTTKY DIODE (SING
Valores:
En stock

Solicitar una cotización (RFQ)

* Email:
* Nombre de la pieza:
* Cantidad, piezas):
* captcha:
loading...
Fabricante :
Wolfspeed, Inc.
categoria de producto :
Diodos - Rectificadores - Simples
Capacitance @ Vr, F :
1474pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
56A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr :
200 µA @ 200 µA
Diode Type :
Silicon Carbide Schottky
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 175°C
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
0 ns
Speed :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package :
TO-263-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.8 V @ 20 A
Hojas de datos
E4D20120G

Productos relacionados con el fabricante

Catálogo de productos relacionados

  • Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
  • Diodes Incorporated
    DIODE SBR 60V 900MA SOT23-3
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC
  • onsemi
    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323HE