G3S06530A

N.º de pieza del fabricante
G3S06530A
Fabricante
Global Power Technology-GPT
Paquete/Caso
-
Ficha de datos
Descargar
Descripción
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 30A 2-PI
Valores:
En stock

Solicitar una cotización (RFQ)

* Email:
* Nombre de la pieza:
* Cantidad, piezas):
* captcha:
loading...
Fabricante :
Global Power Technology-GPT
categoria de producto :
Diodos - Rectificadores - Simples
Capacitance @ Vr, F :
2150pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
110A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr :
50 µA @ 650 V
Diode Type :
Silicon Carbide Schottky
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 175°C
Package / Case :
TO-220-2
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
0 ns
Speed :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package :
TO-220AC
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.7 V @ 30 A
Hojas de datos
G3S06530A

Productos relacionados con el fabricante

  • Global Power Technology-GPT
    SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 3-PIN
  • Global Power Technology-GPT
    SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 3-PIN
  • Global Power Technology-GPT
    SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 3-PIN
  • Global Power Technology-GPT
    SIC SCHOTTKY DIODE 650V 12A 3-PI
  • Global Power Technology-GPT
    SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 4A 3-PI

Catálogo de productos relacionados

  • Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
  • Diodes Incorporated
    DIODE SBR 60V 900MA SOT23-3
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC
  • onsemi
    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323HE