SIB900EDK-T1-GE3
- N.º de pieza del fabricante
- SIB900EDK-T1-GE3
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Paquete/Caso
- -
- Ficha de datos
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- Descripción
- MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
- Valores:
- En stock
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- Fabricante :
- Vishay Siliconix
- categoria de producto :
- Transistores - FET, MOSFET - Matrices
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 1.5A
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 20V
- FET Feature :
- Logic Level Gate
- FET Type :
- 2 N-Channel (Dual)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 1.7nC @ 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- -
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- PowerPAK® SC-75-6L Dual
- Power - Max :
- 3.1W
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 225mOhm @ 1.6A, 4.5V
- Supplier Device Package :
- PowerPAK® SC-75-6L Dual
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 1V @ 250µA
- Hojas de datos
- SIB900EDK-T1-GE3