G20N06D52

N.º de pieza del fabricante
G20N06D52
Fabricante
Goford Semiconductor
Paquete/Caso
-
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Descripción
N60V,RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40M
Valores:
En stock

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Fabricante :
Goford Semiconductor
categoria de producto :
Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
FET Feature :
Standard
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
1220pF @ 30V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
8-PowerTDFN
Power - Max :
45W (Ta)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package :
8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Hojas de datos
G20N06D52

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