TPH3208LDG
- N.º de pieza del fabricante
- TPH3208LDG
- Fabricante
- Transphorm
- Paquete/Caso
- -
- Ficha de datos
- Descargar
- Descripción
- GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
- Valores:
- En stock
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- Fabricante :
- Transphorm
- categoria de producto :
- Transistores - FET, MOSFET - Simple
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 20A (Tc)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 650 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
- 10V
- FET Feature :
- -
- FET Type :
- N-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 14 nC @ 8 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 760 pF @ 400 V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- 3-PowerDFN
- Power Dissipation (Max) :
- 96W (Tc)
- Product Status :
- Obsolete
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 130mOhm @ 13A, 8V
- Supplier Device Package :
- 3-PQFN (8x8)
- Technology :
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Vgs (Max) :
- ±18V
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 2.6V @ 300µA
- Hojas de datos
- TPH3208LDG