FF200R12KE3HOSA1

N.º de pieza del fabricante
FF200R12KE3HOSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Paquete/Caso
-
Ficha de datos
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Descripción
IGBT MODULE 1200V 1050W
Valores:
En stock

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Fabricante :
Infineon Technologies
categoria de producto :
Transistores - IGBT - Módulos
Configuration :
2 Independent
Current - Collector (Ic) (Max) :
-
Current - Collector Cutoff (Max) :
5 mA
IGBT Type :
-
Input :
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
14 nF @ 25 V
Mounting Type :
Chassis Mount
NTC Thermistor :
Yes
Operating Temperature :
-40°C ~ 125°C
Package / Case :
Module
Power - Max :
1050 W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
Hojas de datos
FF200R12KE3HOSA1

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